Samsung vừa thông báo rằng hãng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các gói DRAM dung lượng 4GB dựa trên cấu hình High Bandwidth Memory thế hệ 2 (HBM2) với các khối nhớ chồng lên nhau (3D). Hãng nói rằng hiệu năng của chip DRAM này có thể cao gấp 7 lần so với hiện nay, nhờ đó mà có thể phục vụ cho việc tính toán khoa học, dựng đồ họa, trí tuệ nhân tạo, quản lý mạng lưới cấp doanh nghiệp. Quy trình dùng để sản xuất là 20nm giúp tăng hiệu quả tiêu thụ năng lượng của chip. DRAM HBM2 của Samsung có băng thông 256GBps, gấp đôi HBM1 và gấp 7 lần so với DRAM GDDR5, trong khi vẫn có chức năng tự sửa lỗi ECC.

Samsung cho biết thêm rằng DRAM HBM2 của họ dùng 4 lớp khối nhớ chồng lên nhau, mỗi lớp là 8Gb (tức 1GB). Một đường nội liên kết sẽ đi xuyên qua các lỗ TSV (Trough silicon via) để nối khối nhớ này với khối nhớ khác, và trên một khối có đến hơn 5000 lỗ TSV như thế. So với loại dùng trong RAM DDR4 thì mật độ này cao gấp 36 lần, nhờ vậy mà tốc độ truyền tải dữ liệu trở nên nhanh hơn.

Trong năm nay công ty cũng lên kế hoạch sản xuất gói DRAM HBM2 với dung lượng 8GB dùng cho card đồ họa. Nó có thể thay thế cho DRAM GDDR5 truyền thống mà chúng ta đang thấy ngày nay. Được biết các GPU sắp tới của NVIDIA lẫn AMD đều sẽ chuyển sang dùng HBM2, một tin rất tuyệt vời cho anh em đồ họa và game.

LEAVE A REPLY

Please enter your comment!
Please enter your name here